深圳市豪林电子有限公司

MOS管 7N60 单价 7A 600V

品牌/商标:HL 型号/规格:7N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道

5A 600V 场效应管 HF5N60 TO-220F

品牌/商标:HL 型号/规格:5N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

MOS管专销售 HF830/HP830 TO-220/F 可代IRF830

品牌/商标:豪林 型号/规格:IRF830 /HP830 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

低压MOS管 MT2300

品牌/商标:HL 型号/规格:MT2300 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

MOS管 HU40N03 40A 30V

品牌/商标:HL 型号/规格:HU40N03 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

厂家大量供应场效应管 P60NF06

品牌/商标:HL 型号/规格:P60NF06 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HI-IMP/高输入阻抗 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:0 跨导:0 开启电压:0 夹断电压:0 低频噪声系数:0 极间电容:0 耗散功率:0

供应MOS管 HF8N60 TO-220F 韩国芯片

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:HF8N60 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:HL 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

厂家直供应 强效应管 MOS管 4N60 / HF4N60/HD4N60/HU4N60

品牌/商标:HL 型号/规格:4N60 / HF4N60/HD4N60/HU4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

批量供应MOS管 HU60N03与HD60N03 TO-251/252封装

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:60N03 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:豪林 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

供应商压MOS HF12N60 TO-220F

品牌/商标:豪林 型号/规格:HF12N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 材料:N-FET硅N沟道

MOS管 豪林 贴片与插件 HD5N60与HU5N60

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:豪林 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:其他 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

厂家直接供应MOS管 IRF630

品牌/商标:HL 型号/规格:IRF630 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:200（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）

厂家直接供应MOS管 IRF730

品牌/商标:HL 型号/规格:IRF730 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:400（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）

厂家直接供应MOS管 IRF830

品牌/商标:HL 型号/规格:IRF830 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:*（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）

厂家直接供应MOS管 HU4N60 TO-251

品牌/商标:HL 型号/规格:4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

厂家直接供应MOS管 HD4N60 TO-252

品牌/商标:HL 型号/规格:4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

厂家直接供应低压MOS管 MT3407

品牌/商标:HL 型号/规格:MT3407 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:*（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB）

厂家直接供应低压MOS管 2N7002

品牌/商标:HL 型号/规格:2N7002 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 开启电压:60（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）

厂家直接供应低压MOS管 RCR1521

品牌/商标:HL 型号/规格:RCR1521 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:*（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）

厂家直接供应低压MOS管 MT2302

品牌/商标:HL 型号/规格:MT2302 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:*（V） 夹断电压:*（V） 跨导:*（μS） 极间电容:*（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:*（mA） 耗散功率:*（mW）